Transporte electrónico en nanocintas de siliceno dopadas

Abstract

Estudiamos las propiedades de transporte de una estructura de nanocintas de siliceno completamente dopada con impurezas ("adatoms") en una región central. Usando el modelo de enlace fuerte, es posible mapear la red hexagonal del siliceno en una cadena unidimensional diatómica con parámetros de acoplamientos alternados entre átomos vecinos. Determinamos analíticamente la función de transmisión del sistema considerando el potencial efectivo generado por las impurezas, así como un campo eléctrico externo aplicado perpendicular a la nanoestructura.