INVESTIGATION OF THE PARALLEL CONNECTION OF SEMICONDUCTOR ELEMMENTS IN VOLTAGE INVERTERS

Abstract

El objetivo de este trabajo es validar empíricamente nuevos métodos presentados en diversas publicaciones para la conexión en paralelo de semiconductores de potencia, comparar estos métodos con las soluciones actuales existentes en la literatura e incluso mezclar los distintos métodos propuestos. Básicamente, todas las soluciones involucran el uso de pequeas inductancias, las cuales estratégicamente conectadas, ayudan a reducir los desbalances de corrientes propios de la conexión en paralelo, tanto estática como dinámicamente. Este trabajo fue realizado en el instituto de electrónica de potencia de la universidad técnica de Berlín como base para futuras investigaciones en la conexión en paralelo de IGCTs (integrated gate-commutated thyristors). Para probar los conceptos propuestos tanto en las nuevas publicaciones como en la literatura actual, se construyó un prototipo de relativamente baja potencia (200 Watts) con un circuito puente semicontrolado de cuatro MOSFET en paralelo, a los cuales se les modificará externamente algunas características para forzar diferencias entre los elementos semiconductores, de modo de observar más claramente las mejoras en la distribución de corriente por parte de las soluciones propuestas. La aplicación final de los resultados obtenidos será útil para obtener experiencia en la conexión en paralelo de semiconductores de mayor potencia, en específico con IGCTs en donde los altos voltajes, corrientes y costos involucrados hacen imposible realizar estas pruebas directamente. En resumen, este trabajo presenta las pruebas a baja potencia que serán realizadas en posteriores investigaciones con IGCT's.